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金太阳示范工程关键设备的要求


附件 1

金太阳示范工程关键设备基本要求(2011 年)

一、电池组件 (一)性能要求 1、晶体硅组件全光照面积的光电转换效率(以含组件边框面积 计算)≥14%,非晶硅薄膜组件≥6%。 2、工作温度范围为-40℃~+85℃,初始功率(出厂前)偏差范 围±3%。 3、使用寿命不低于 25 年,质保期不少于 5 年。晶体硅组件衰减 率在 2 年内不高于 2%,25 年内不高于 20%。非晶硅薄膜组件衰减率 在 2 年内不高于 4%,25 年内不高于 20%。 4、晶体硅和非晶硅薄膜组件分别按照 GB/T9535(或 IEC61215) 和 GB/T18911(或 IEC61646)以及 GB/T20047(或 IEC61730) 标准要 求,通过国家批准认证机构的认证。 (二)生产企业资质要求 1、是在中华人民共和国注册的独立法人,注册资本金在 1 亿元 人民币以上。 2、具有三年以上相关产品独立生产、供应和售后服务的能力。 晶体硅组件企业的生产检验能力不低于 500 MWp,2010 年实际发货量 不低于 200MWp(以海关报关单或销售发票为准) 。非晶硅薄膜组件企 业的生产检验能力不低于 50MWp。 3、配备 AAA 级太阳模拟器、组件隐裂测试设备等关键检验设备,

并由国家批准认证机构出具检验设备登记表 (包括型号、 规格、 精度、 使用场所等) 。 4、2008-2010 三年内无重大质量投诉或合同违约责任。 二、并网逆变器基本要求 (一)性能要求 1、功率 100kW 及以上产品的最大逆变效率≥95%,100kW 以下产 品的最大逆变器效率≥94%。 2、额定功率下电流总谐波畸变率≤5%;交流输出三相电压的允 许偏差不超过额定电压的± 10% ;直流分量不超过其交流额定值的 0.5%,无隔离变压器型逆变器不超过 1%;具有电网过/欠压保护、过 /欠频保护、防孤岛保护、恢复并网保护、过流保护、极性反接保护、 过载保护功能。 3、使用寿命不低于 20 年,质保期不低于 2 年。在环境温度为 -25℃~+50℃,相对湿度≤95%,海拔高度≤2000 米情况下能正常使 用。 4、按照 CNCA/CTS0004:2009 认证技术规范要求,通过国家批准 认证机构的认证。 (二)生产企业为财政部、科技部、国家能源局于 2010 年通过 统一招标确定的中标企业。 三、储能蓄电池基本要求 (一)性能要求 1、直流电压等级为 2V、12V。

2、充电接收能力:充电电流 Ica 与 C10/10 的比值不小于 2。 3、容量一致性:最大实际容量与最小实际容量差值不大于 5%, 4、荷电保持能力:2V 蓄电池储存后剩余容量与额定容量比值不 低于 95%,12V 蓄电池不低于 85%。 5、不含有镉、汞、锑等有害重金属物质。 6、 在海拔高度 4500 米, 环境温度-20~+45℃条件下能正常使用。 正常使用期限不低于 5 年,2V 蓄电池质保期为 3 年, 12V 蓄电池质保 期为 2 年。 7、按照 GB/T 22473 标准要求,通过国家批准认证机构的认证。 (二)生产企业为财政部、科技部、国家能源局于 2010 年通过 统一招标确定的中标企业。


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