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光电检测技术讲义稿1


《光电检测技术 》

赵 斌 机械学院 仪器系

光伏探测器 (PV-Photo Voltaic )

光电池Photocell的历史
1839年,安托石-贝克雷尔Baker Antoine Henry 制造出了最早 的光电池。贝克雷尔电池是一个圆柱体,内装硝酸铅溶液, 溶液中进入一个铅阳极和一个氧化铜阴

极。这种电池一经阳 光照射,就会供给电流。 1875年,德国技师维尔纳-西门子是制成第一个硒光电池, 并提议用于光量测定。西门子的光电池是根据1873年英国人 史密斯发现的“内光电效应”提出的。 L.H.亚当斯于1876年指出,硒在光的作用下,不仅出现电阻 的变化,而且在一定条件下还出现电动势,从而发现了“阻 挡层效应”。阻挡层效应则成了光电池的基本原理。自1950 年起,光电池被广泛地用于自动控制技术、信息电子学和测 量技术。

光伏器件原理 光伏器件性能 光电池 光电二极管 光电三极管 其它光伏器件

光伏器件
利用半导体PN结光伏效应制成的器件称为光 伏器件,也称结型光电器件。这类器件品种很 多,其中包括各种光电池、光电二极管、光电晶 体管、光电场效应管、PIN管、雪崩光电二极管、 光可控硅、阵列式光电器件、象限式光电器件、 位置敏感探测器(PSD)、光电耦合器件等。

光伏器件原理
pn结中电子向P区,空穴向n区扩散,使p区带负电,n区带正 电,形成内建电场,阻止电子和空穴继续扩散,或称产生漂移电 流,漂移电流和扩散电流将达到平衡,之间不能移动的离子组成 空间电荷区——耗尽区 。 如果有外加正向电压,结内平衡被破坏,这时流过pn结的电 流方程为:

I D = I 0e

qV / kT

? I0

ID:流过PN结的电流 I0:PN结的反向饱和电流(暗电流) V:加在PN结上的正向电压

p-n结光电效应

I D = I 0e

qVoc / kT

? I0

当光照射p-n结时,只要入射光子能量大于材料禁 带宽度,就会在结区产生电子-空穴对。这些非平衡 载流子在内建电场的作用下,空穴顺着电场运动,电 子逆电场运动; 在开路状态,最后在n区边界积累光生电子,p区积 累光生空穴,产生了一个与内建电场方向相反的光生 电场,即p区和n区之间产生了光生电压Voc

(1)零偏置——光电池 有光照射时,产生的电子- 空穴对,在内建电场作用下形成 的光生电流Ip,其方向与p-n结反 向饱和电流I0相同; 光生电流流过负载产生电压 降,相当于在p-n结施加正向偏置 电压,从而产生电流ID,流过负 载的总电流是两者之差:
I L = I p ? I D = I p ? I 0 (e
qV / KT

ID

Ip

P
IL


N
RL
v
-

? 1)

零偏置

1)断路时IL=0,pn结两端的电压为开路电压V0c
Ip Ip kT kT kT S ?E V0 c = ln(1 + ) ≈ ln( ) = ln( E ) q I0 q I0 q I0

,Ip》I0

2)负载电阻短路时RL=0 短路电流
I sc = I p = S E ? E

IL ≈ I p

(2)反向偏置——光电二极管

=0
qV / KT

I L = I p ? I D = I p ? I 0 (e IL ≈ I p
光电流基本正比于光强度! 很适应于测量应用。

? 1)
Ip

ID

P
IL

N
RL

反偏工作原理

电路符号

非晶硅(a-Si)太阳电池是在玻璃(glass)衬底上沉积透明导电膜(TCO), 然后依次用等离子体反应沉积p型、i型、n型三层a-Si,接着再蒸镀金 属电极铝(Al).光从玻璃面入射,电池电流从透明导电膜和铝引出,其 结构可表示为glass/TCO/pin/Al。非晶硅太阳电池的厚度不到1μm, 不足晶体硅太阳电池厚度的1/100,这就大大降低了制造成本,

薄膜硅基太阳能电池 制作工艺参见NSTDA的技术文档

光伏器件性能
光谱特性
图为光电池的光谱响应 曲线,它表明了用单位 辐射通量的不同波长的 光分别照射时,光电池 短路电流大小的相对比 较。
硅 光 电 池 的 光 谱 响 应 范 围 为 0.4 ~ 1.1?m ,峰值波长为 0.8 ~ 0.9?m。 硒光电池的光谱响应范围为0.34~0.75?m,峰值波长为0.54?m 左右。

温度特性
开路电压具有负温度系 数,随温度的升高而减小, 其值约为2~3mV/℃; 短路电流具有正温度系 数,随温度的升高而增大, 其值约为10-5~10-3mA/℃ 数量级。

等效电路
通常Rs很小 RL VL

iD ip Cf
Rsh

Rs

等效微变电路

I L = I p ? I D = ? I 0e

qV / KT

+ I0 + I p

频率特性

输出功率
负载所获得的功率为 PL=I2LRL

显然,负载RL所获得的功率PL与负载电阻的阻值有关: 当RL=0(电路为短路)时,U=0,输出功率PL=0; 当RL=∞(电路为开路)时,IL=0,输出功率PL=0; ∞<RL<0时,输出功率PL>0。 显然,存在着最佳负载电阻RLopt,在最佳负载电阻情况下负载可 以获得最大的输出功率Pmax。

通过对伏安特性关系求导,可得最佳负载电阻Ropt的阻值。 在实际工程计算中,常通过分析图所示的输出特性曲线得到经 验公式——当负载电阻为最佳负载电阻时,输出电压U=Um Um =(0.6~0.7)Uoc 而此时的输出电流近似等于光电 流,即

I M = I P = SiΦe,λ

其中,Si为硅光电池的电流灵敏度。

硅光电池的最佳负载电阻Ropt为
Ropt U m (0.6 ~ 0.7)U oc = = Im SΦe,λ

从上式可以看出硅光电池的最佳负载电阻Ropt与入射 辐射通量有关,它随入射辐射通量的增加而减小。 负载电阻所获得的最大功率为 Pm= Im Um=(0.6~0.7)UocIp

光伏探测器(结型器件)与光电导器件的区别在于: 1. 产生光电变换的部位不同。光电导探测器是均质型, 而光伏探测器是结型; 2. 结型器件有确定的正负极,可不加偏压输出电信号; 而光电导器件没有极性,工作时必须外加偏压; 3. 光敏电阻依赖于非平衡载流子的产生与复合运动,响 应速度慢,频率响应差;而结型器件主要依靠结区非 平衡载流子中部分载流子的漂移运动,响应速度快, 频率特性好; 4. 部分结型器件有内增益,因此灵敏度高。

三、光电池的应用
电源

串并联~高电压、大电流

测量光电池

零偏置~线性好

光电二极管

光电二极管和光 电池一样,其基本结构 也是一个PN结,光生 电势与光电池相同,不 同点是结面积小(微 米,GHz),因此频 率特性好,但输出电流 比光电池小,一般为数 微安到数十微安。

一、硅光电二极管
硅光电二极管是最简单、最具有代表性的光 生伏特器件,其中,PN结硅光电二极管为最基 本的光生伏特器件。

1. 硅光电二极管的结构和工作原理 光电二极管的基本结构

图示为2DU型光 电二极管的原理 结构图。

国产光电二极管按衬底材料的导电类型 不同可分为两种结构形式:

以P型硅为衬底的2DU型 以N型硅为衬底的2CU型

2CU系列光电二极 管只有两个引出 线,而2DU系列光 电二极管有三条引 出线,除了前极、 后极外,还设了一 个环极。

2DU设环极的目的: 隔离表面漏电流,减 少暗电流和噪声

伏安特性
与光电池完全相同,光电二极管在不同偏置电压下的输出特性曲 线(a)。光电二极管的工作区域应在图的第3象限与第4象限。电 流电压方向改变后旋转成如图(b)所示。

(a)

(b)

电流灵敏度
在给定波长入射光下,定义光电二极管的电 流灵敏度为入射到光敏面上辐射量的变化与电流 变化之比。

dI Si = dΦ

电流灵敏度与入射辐射波长λ有关。通常给出的为 其峰值响应波长的电流灵敏度。

光谱响应
定义:以等功率的不同单色辐射波长的光作用于光电二 极管时,其电流灵敏度与波长的关系。 典型硅光电二极 管光谱响应长波 限为1.1?m左 右,短波限接近 0.4?m,峰值响 应波长为0.9?m 左右,与硅光电 池相同。

(4)响应时间和频率特性
主要由3个因素决定: 1) 在PN结区外产生的光生载流子扩散到PN结区内所 需要的时间,称为扩散时间记为τp (ns量级); 2) 在PN结区内产生的光生载流子渡越结区的时间,称 为漂移时间记为τdr(10-11量级); 3) 由PN结电容Cj和管芯电阻Ri及负载电阻RL构成的RC 延迟时间τRC ( 负载电阻RL不大时为ns数量级 )。 它和光电池相比,重要的不同点是 结面积小 ,因此它 的频率特性特别好。

反向工作电压
在无光照情况下,光电二极管中反向电流不超过 一定值时(一般≤0.2~0.3?A),所能承受的最 高反向电压,一般不大于10V,高者可达50V。 反向电压高,频率响应高。

暗电流
在无光照情况下,在最高工作电压下,在pn结测得的 反向漏电流。暗电流决定了低照度的测量界限,并随 温度与反偏压的大小而变化且变化幅度大。一般随温 度升高而增加;当偏压增大时,暗电流增大。当反偏压 增大到一定值时,暗电流激增,发生了反向击穿(即为 非破坏性的雪崩击穿,与之对应的是齐纳击穿)。暗 电流小的管子,其工作性能相对稳定。

二、PIN型光电二极管 ——PIN管
PIN管是光电二极管中的一种。它的结构特点是, 在P型半导体和N型半导体之间夹着一层(相对)很厚的 本征半导体(I-intrinsic)层或轻掺杂层。

p+

P

+

layer is very thin near the surface
高阻、承担 大部分压降

VR
i

w

i-layer is thick about 100~101μm

n+

n layer is thin
after i-layer

+

Signal

特点一:时间响应特性好, 频带宽。PN结的内电场基本 上全集中于I层中,从而使PN 结的间距加宽,结电容变 小,频带将变宽,可达 10GHz(10-10s)。 特点二:反压高,线性输出范围宽。因为I层很厚,在 反偏压下运用可承受较高的反向电压,所以线性输出 范围宽。由耗尽层宽度与外加电压的关系可知,增加 反向偏压会使耗尽层宽度增加,从而结电容要进一步 减小,使频带宽度变宽。 不足之处:I层电阻很大,管子的输出电流小,一般多 为零点几微安至数微安。

三、雪崩光电二极管 ——APD(avalanche photodetector)
PIN光电二极管: 提高了时间响应,未能提高器件的光电灵敏度(无内 部增益)。 雪崩光电二极管: 利用雪崩管在高的反向偏压下发生雪崩倍增效应而制 成的光电探测器。提高光电二极管的灵敏度(具有内部 增益102~104)。这种管子响应速度特别快,带宽可达 100GHz,是目前响应速度最快的一种光电二极管。

1. 工作原理
一般光电二极管的反偏压在几十 伏以下,而APD的反偏压一般在 几百伏量级,接近于反向击穿电 压。 电子和空穴在势垒区中作漂 移运动时得到很大的动能。它们 与势垒区中的晶格原子碰撞产生 电离,激发产生的二次电子与空 穴在电场下继续得到加速碰撞产 生新的电子-空穴对,如此继 续,形成雪崩倍增效应。

电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载 流子数,这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加, 其电流倍增系数M定义为 :

I M= I0
式中,I为倍增输出的电流,I0为倍增前输出的电流。 灵敏度

eη ?=M hv
M= 1 1 ? (U/U BR ) n

M随反向偏压U的变化可用经验公式近似表示: UBR雪崩击穿电压

A:在偏压较低时,光电流很 小; B:产生雪崩倍增,光电流输出 最大; C:偏压接近雪崩击穿电压,暗 电流迅速增加,增加的速度比 光电流快,所以降低了灵敏度。

最佳工作点:B点附近

2. 结构

图(a)在P型硅基片上扩散杂质浓度大的N+层,制成P型N结构; 图(b)在N型硅基片上扩散杂质浓度大的P+层,制成N型P结构; 图(c)所示为PIN型雪崩光电二极管。 由于PIN型光电二极管在 较高的反向偏置电压的作用下耗尽区扩展到整个PN结结区,形成 自身保护(具有很强的抗击穿功能),因此, PIN型雪崩光电二极 管不必设置保护环。

An avalanche photodiode is a silicon-based semiconductor containing a pn junction consisting of a positively doped p region and a negatively doped n region sandwiching an area of neutral charge termed the depletion region. These diodes provide gain by the generation of electron-hole pairs from an energetic electron that creates an "avalanche" of electrons in the substrate. Presented in Figure 1 is an illustration of a typical avalanche photodiode. Photons entering the diode first pass through the silicon dioxide layer and then through the n and p layers before entering the depletion region where they excite free electrons and holes, which then migrate to the cathode and anode, respectively. When a semiconductor diode has a reverse bias (voltage) applied and the crystal junction between the p and n layers is illuminated, then a current will flow in proportion to the number of photons incident upon the junction. Avalanche diodes are very similar in design to the silicon p-i-n diode, however the depletion layer in an avalanche photodiode is relatively thin, resulting in a very steep localized electrical field across the narrow junction. In operation, very high reverse-bias voltages (up to 2500 volts) are applied across the device. As the bias voltage is increased, electrons generated in the p layer continue to increase in energy as they undergo multiple collisions with the crystalline silicon lattice. This "avalanche" of electrons eventually results in electron multiplication that is analogous to the process occurring in one of the dynodes of a photomultiplier tube.

3.噪声
由于雪崩光电二极管中载流子的碰撞电离是不规则 的,碰撞后的运动方向更是随机的,所以它的噪声比一 般光电二极管要大些。特别是工作电压接近或等于反向 击穿电压时,噪声可增大到放大器的噪声水平,以至无 法使用。 雪崩光电二极管的噪声可近似由下式计算:

I = 2qIM Δf
2 n n

式中指数n与雪崩光电二极管的材料有关。 对于锗管,n=3;对于硅管为2.3<n<2.5。

异质结光电器件
1. 滤波 通常以带隙大的A材料作为光接收面,能量大于A材料带隙的光通过A时 首先将被吸收,如果A材料厚度大于光生载流子的扩散长度时,则不能到达 结区,产生不了光电流;而能量小的长光波光子将通过A材料一直到达带隙 小的B材料而被吸收,并产生光电流。从而,异质结的宽带材料起着滤波的 作用,即把短波成份滤掉。 2. 拓展光谱响应范围 光纤通信的波长为1.3~1.6?m波段,而硅的最佳响应波长为0.8~ 1.0?m,所以,异质结光电二极管将响应波段向长波长区域扩展,是光纤通 信的理想探测器。同时还可以改变组分来调节光谱响应范围。 3. 量子效率高、背景噪声低(暗电流小)、寄生电容小、响应速率高(适宜高 比特光纤通信)

2.4.5 光电三极管(光电晶体管)

光电三极管有两种基本结构,NPN结构与PNP结构。 ?用N型硅材料为衬底制作的 NPN结构,称为 3DU型; ?用P型硅材料为衬底制作的称为PNP结构,称为3CU型。

备注: 与光电池、二极管类似,DU型均为n为受光面,CU型均为p为受光面

一. 工作原理
光电三极管的工作原理分为两个过程: 一是光电转换;二是光电流放大。 集电极输出的电流为:

I C = βI P

光电二极管的电流Ip被三极管放大β倍,所以光电三极管的电 流灵敏度是光电二极管的β倍 为提高光电三极管的增益,减小体积,常将光电二极管或光 电三极管及三极管制作到一个硅片上构成集成光电器件。

二. 光电三极管特性 1.伏安特性
光电三极管在偏置电压为零时,无 论光照度有多强,集电极电流都为 零。偏置电压要保证光电三极管的 发射结处于正向偏置,而集电结处 于反向偏置。随着偏置电压的增高 伏安特性曲线趋于平坦。 光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜,间距增大。这是因为 光电三极管除具有光电灵敏度外,还具有电流增益β,并 且,β值随光电流的增大而增大。

2.时间响应(频率特性)
光电三极管的时间响应常数与PN结的结构及偏置电路等参数 有关,可根据光电三极管输出电路的微变等效电路决定。

3.温度特性

硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流Id和光电流IL均随 温度而变化,由于硅光电三极管具有电流放大功能,所以 硅光电三极管的暗电流Id和亮电流IL受温度的影响要比硅光 电二极管大得多。

4.光谱响应
光电三极管与硅光电二极管具有相同的光谱响应。图所示为典 型的硅光电三极管3DU3的光谱响应特性曲线,它的响应范围为 0.4~1.0μm,峰值波长为0.85μm。 对于光电二极管,减薄PN结 的厚度可以使短波段波长的光 谱响应得到提高,因为短波段 光的穿透深度小,PN结的厚 度减薄后,短波光产生的载流 子可穿过PN结,而不会在扩 散过程中被复合。据此,可以 制造出具有不同光谱响应的光 伏器件,例如蓝敏器件和色敏 器件等。

光电三极管产品

QSB363-Phototransistor 技术参数参见技术文档

http://www.fairchildsemi.com/

其它光伏器件

一.肖特基光电二极管(Schottky Barrier Photodiode) 肖特基势垒是金属和半导体 接触界面产生的势垒。N型半 导体和金属相互接触并达到 热平衡状态时,在半导体一 侧出现一层正电荷,而在金 属一侧出现一层负电荷,构 成阻挡层和耗尽层,形成肖 特基势垒,其电场方向由N型 半导体指向金属。

特点一:由于金属膜很薄,无P层损失,光直接在势垒 区产生载流子,减少了扩散时间和扩散过程中的复合 损失,因此响应时间短、量子效率高。可探测5~10ns 的脉冲信号。 特点二:光谱响应范围宽(0.2~1.1?m),0.4~ 0.6?m的响应优于一般硅光电二极管。 特点三:可直接采用硅集成电路工艺,是红外焦平面 器件优选光敏器件。光敏面可以做的很大,均匀性好、 动态范围大,很适合作四象限探测器。

二. 色敏光生伏特器件
色敏光生伏特器件是根据人眼视觉的三原色原理,利用不同 结深PN结光电二极管对不同波长光谱灵敏度的差别,实现对彩 色光源或物体进行颜色的测量。 色敏光生伏特器件具有结构简单、体积小、重量轻,变换电 路容易掌握,成本低等特点,被广泛应用于颜色测量与颜色识别 等领域。例如彩色印刷生产线中色标位置的判别,颜料、染料的 颜色测量与判别,彩色电视机荧光屏彩色的测量与调整,医学上 对皮肤、内脏、牙齿等颜色的测定等等,是一种非常有发展前途 的新型半导体光电器件。

1.双色硅色敏器件的工作原理
双色硅色敏光传感器的结构和等效电路如图所示。它是在同一 硅片上制作两个深浅不同PN结的光电二极管PD1和PD2组成的,又 称为双结光电二极管。

浅PN结的PD1的光谱响应 峰值在蓝光范围,深结PD2的 光谱响应峰值在红光范围。

用双结光电二极管测量颜色时,通过 测量两个光电二极管的短路电流比 (ISC2/ ISC1)与入射波长的关系,根 据短路电流比值判别入射光波长,达 到识别颜色的目的。 缺点:只能测单色光,不能用于 测量多种波长组成的混合色光,即使 已知混合色光的光谱特性,也很难对 光的颜色进行精确测量。

2.三色硅色敏器件的工作原理 国际照明委员会 (CIE)根据三原色原 理建立了标准色度系 统,制定了等能光谱色 的三刺激值——标准色 度观察者三刺激值曲线

对任何一种颜色,都可由颜色的三刺激值X、Y、Z表 示,计算公式为
X = K ∫ Φ(λ ) x (λ )dλ
380 780

Y = K ∫ Φ(λ ) y(λ )dλ
380

780

Z = K ∫ Φ(λ )z(λ )dλ
380

780

其中:Φ为进入人眼的光谱辐射通量,称为色 刺激函数,K为调整系数。

根据色度学理论,日本的深津猛夫等人研制出可以识别混合色光 的3色色敏光电器件。下图为非晶硅集成色敏器件的结构示意图。 它是在一块非晶硅基片上制作3个检测元件,并分别配上R、G、 B滤色片,得到如右图所示的近似于光谱3刺激值曲线,通过R、 G、B输出电流的比较,即可识别物体的颜色。

三.光伏器件组合器件

光伏器件组合件是在一块硅片上制造出按一定方式 排列的具有相同光电特性的光伏器件阵列。它广泛应用 用光电组合器件代替由分立光伏器件组成的变换装置, 不仅具有光敏点密集量大,结构紧凑,光电特性一致性 好,调节方便等优点,而且它独特的结构设计可以完成 分立元件无法完成的检测工作。

于光电跟踪、光电准值、图像识别和光电编码等应用中。

1、象限阵列光伏器件组合件

象限探测器可以用来确定光点在二维平面上的 位置坐标,一般用于准直、定位、跟踪等。典型的 象限探测器有四象限光电二极管、硅光电池、光电 倍增管,也有二象限的硅光电池和光敏电阻等。

激光

带材

具有一维位置的检测功能,在薄板材料的生产 中常被用来检测和控制边沿的位置,以便卷制成整 齐的卷。

Quadrant(or Four segmented) photodiode

具有两维位置的检测功能,可以完成光斑在x、y两个方向的偏移测量

缺陷: 光刻分割区将产生盲区,限制微小光斑的测量; 若被测光斑全部落入某一象限,输出信号将无法测出光斑的 位置,因此测量范围受到限制; 测量精度与光源的光强及其漂移密切相关,测量精度的稳定 性受限。

2、线阵列光伏器件组合件

线阵列光伏器件组合 件是在一块硅片上制 造出光敏面积相等, 间隔也相等的一串特 性相近的光生伏特器 件阵列。是一种能够 进行并行传输的光电 传感器件,在精度要 求和灵敏度要求并不 太高的多通道检测装 置、光电编码器和光 电读出装置中得到广 泛的应用。

3、楔环阵列组合件
光敏单元由楔与环两种 图形构成,故称为楔环探测 器。用来检测光的功率谱分 布,极角方向用来检测功率 在角度方向的分布,环形区 探测器用来检测功率在半径 方向的分布。因此,可以将 被测光功率谱的能量密度分 布以极坐标的方式表示。

四. 光电位置敏感器件(PSD-Position Sensing Detector)

光电位置敏感器件是基于光生伏特横向效应的器件,是一 种对入射到光敏面上的光电位置敏感的光电器件。它具有比 象限探测器件在光点位置测量方面更多的优点。例如,它对 光斑的形状无严格的要求,即它的输出信号与光斑是否聚焦 无关;光敏面也无须分割,消除了象限探测器盲区的影响; 它可以连续测量光斑在光电位置敏感器件上的位置,且位置 分辨率高,一维PSD的位置分辨率可达0.2?m

1. PSD器件的工作原理
当光束入射到PSD器件光敏层上距中心点的距离为xA时,在入 射位置上产生与入射辐射成正比的信号电荷,此电荷形成的光电 流通过电阻p型层分别由电极1与2输出。设p型层的电阻是均匀 的,两电极间的距离为2L,流过两电极的电流分别为I1和I2,则流 过n型层上电极的电流I0为I1和I2之和。

I0= I1+I2
? L ? xA ? I1 = I 0 2L ? L + xA ? ?I 2 = I 0 2L ? ? x A = I 2 ? I1 L ? I 2 + I1 ?

2. 一维PSD器件
一维PSD器件主要用来测量光斑 在一维方向上的位置或位置移动量 的装置。图(a)为典型一维PSD器 件S1543的结构示意图,其中1和2为 信号电极,3为公共电极。它的光敏 面为细长的矩形条。

I 2 ? I1 x= L I 2 + I1

3.二维PSD器件
如图(a)所示,在正方形的PIN硅片的光敏面上设置2对 电极,分别标注为Y1,Y2和X3,X4,其公共N极常接电源 Ubb。二维PSD器件的等效电路如图(b)所示

Ix4 ? ?x = I ? x4 ? I y2 ?y = I y2 ? ?

? Ix3 + Ix3 ? I y1 + I y1

http://www.silicon-sensor.com

技术文档Psd.pdf

五. 光电开关和光电耦合器(optical switch and coupler)
光电开关和光电耦合器都 是由发光端和受光端组成的组 合件。它们的结构很类似。不 同的是,光电开关不封闭,发 光端和受光端之间可以插入调 制板。光电耦合器则是把发光 元件与受光元件都封闭在一个 不透光的管壳里。共同点是, 发光边与受光边是彼此独立 的,完全没有电的联系。

光电开关多用于光电计数、报警、安全保护、无接触开关及各 种光电控制方面;光电耦合器则多用于电位隔离、电平匹配、 抗干扰电路、逻辑电路、数/模转换、过流保护及高压控制等。

光电开关

光电耦合器


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